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고성능 IGBT 커패시터 전력 전자 스너버 커패시터

0.1-5uF의 커패시턴스 범위와 630V~3000V DC의 정격 전압을 갖춘 스너버 커패시터는 최신 전력 전자 응용 분야의 요구 사항을 충족하도록 설계되었습니다. -40°C~105°C의 상한 및 하한 온도 범위를 갖춘 이 커패시터는 IEC 61071-2017 및 GB/T 17702-2013 표준을 준수하며 뛰어난 성능, 안정성 및 다양성을 제공합니다.

    제품 매개변수 문의하기
    제품 세부 정보

    MKP-HS 커패시터

      

     

    모델

    GB/T 17702-2013

    IEC61071-2017

    630~3000V 직류

    -40~105℃

    0.1~5uF

     

     

     

     

     

    특징

     

    간편한 장착.

     

    높은 dv/dt 강도..

     

      

    높은 내전압 성능, 낮은 손실, 낮은 온도 상승.

      

     

    응용 프로그램

     

    IGBT 선버링.

    전력 전자 장비에서 흡수 및 보호에 사용됨

    스위칭 장치가 꺼졌을 때의 피크 전압과 피크 전류.

    쉬운 설치

    당사의 커패시터 설계는 빠르고 쉽게 설치할 수 있도록 보장합니다. 이를 통해 설치에 필요한 시간과 노력이 줄어들어 효율성과 단순성이 중요한 애플리케이션에 이상적입니다.

    고전압 저항

    이 커패시터는 최소한의 손실로 고전압을 견딜 수 있습니다. 이 기능은 가장 까다로운 애플리케이션에서도 안정적으로 작동하여 오래 지속되고 일관된 성능을 제공합니다.

    낮은 전력 소모

    당사의 커패시터 설계는 전력 소비를 최소화하여 전반적인 효율성을 개선합니다. 모든 와트가 중요한 고성능 애플리케이션에 낮은 전력 소비는 필수적이며, 시스템이 에너지 효율적이고 비용 효율적으로 유지되도록 합니다.

    저온 상승

    당사의 커패시터는 높은 스트레스 조건에서도 낮은 온도 상승을 보입니다. 이 기능은 서비스 수명을 연장할 뿐만 아니라 시간이 지나도 성능을 유지하여 자주 교체할 필요성을 줄여줍니다.

    높은 dv/dt 성능

    당사의 커패시터는 높은 전압 변화율(dv/dt)을 처리하도록 설계되었습니다. 이 기능은 기존 커패시터가 고장날 수 있는 빠른 스위칭 및 동적 회로와 관련된 애플리케이션에 필수적입니다.

    IGBT 스너버 회로

    절연 게이트 바이폴라 트랜지스터(IGBT)에서 당사의 커패시터는 전압 스파이크와 과도 전류로부터 보호하는 스너버 역할을 합니다. 과도한 에너지를 흡수하고 IGBT의 손상을 방지하여 원활하고 안정적인 작동을 보장합니다.

    스파이크 및 서지 보호

    이러한 커패시터는 전력 전자장치의 피크 전압과 전류를 흡수하는 데 이상적입니다. 스파이크와 서지로부터 보호하여 민감한 구성 요소를 보호하고 전체 시스템의 내구성을 높입니다.

    필름 커패시터의 전기적 특성

    테이블(8)78f

    수명 기대치 vs. 충전 온도

    테이블(9)xdy

    평균 수명 대비

    테이블(10)2tc

    정전용량 변화율 대 온도

    판(11) 눈물

    작동 전류 대 온도

    테이블(12)p9r

    작동 전압 대 온도

    테이블(13)0y9

    (CR값) IR 대 온도

    테이블(14)iib

    용량 변화율 대 주파수

    테이블(15)rgw

    용량 변화율 대 주파수