Leave Your Message

Tụ điện IGBT hiệu suất cao Tụ điện Snubber Điện tử công suất

Với phạm vi điện dung từ 0,1-5uF và điện áp định mức từ 630V đến 3000V DC, tụ điện snubber được thiết kế để đáp ứng nhu cầu của các ứng dụng điện tử công suất hiện đại. Với phạm vi nhiệt độ trên và dưới từ -40°C đến 105°C, các tụ điện này tuân thủ các tiêu chuẩn IEC 61071-2017 và GB/T 17702-2013, đồng thời mang lại hiệu suất, độ tin cậy và tính linh hoạt vượt trội.

    Tụ MKP-HS

      

     

    Người mẫu

    GB/T 17702-2013

    IEC61071-2017

    630~3000V.DC

    -40~105℃

    0,1 ~ 5uF

     

     

     

     

     

    Đặc trưng

     

    Dễ dàng lắp đặt.

     

    Độ bền dv/dt cao.

     

      

    Khả năng chịu điện áp cao, tản nhiệt thấp, nhiệt độ tăng thấp.

      

     

    Ứng dụng

     

    IGBT đang tỏa sáng.

    Được sử dụng trong thiết bị điện tử công suất để hấp thụ và bảo vệ khỏi

    điện áp cực đại và dòng điện cực đại khi thiết bị chuyển mạch bị tắt.

    Cài đặt dễ dàng

    Thiết kế tụ điện của chúng tôi đảm bảo rằng chúng có thể được lắp đặt nhanh chóng và dễ dàng. Điều này làm giảm thời gian và công sức cần thiết để thiết lập, khiến chúng trở nên lý tưởng cho các ứng dụng mà hiệu quả và tính đơn giản là rất quan trọng.

    Điện trở điện áp cao

    Các tụ điện này có thể chịu được điện áp cao với tổn thất tối thiểu. Tính năng này đảm bảo chúng hoạt động đáng tin cậy ngay cả trong những ứng dụng khắt khe nhất, mang lại hiệu suất lâu dài và ổn định.

    Tiêu thụ điện năng thấp

    Thiết kế tụ điện của chúng tôi giảm thiểu mức tiêu thụ điện năng, do đó cải thiện hiệu suất tổng thể. Mức tiêu thụ điện năng thấp rất quan trọng đối với các ứng dụng hiệu suất cao, trong đó mỗi watt đều có giá trị, đảm bảo hệ thống vẫn tiết kiệm năng lượng và hiệu quả về chi phí.

    Nhiệt độ tăng thấp

    Tụ điện của chúng tôi có nhiệt độ tăng thấp ngay cả trong điều kiện ứng suất cao. Tính năng này không chỉ kéo dài tuổi thọ mà còn đảm bảo chúng duy trì hiệu suất theo thời gian, giảm nhu cầu thay thế thường xuyên.

    Khả năng dv/dt cao

    Tụ điện của chúng tôi được thiết kế để xử lý tốc độ thay đổi điện áp cao (dv/dt). Tính năng này rất quan trọng đối với các ứng dụng liên quan đến chuyển mạch nhanh và mạch động, nơi tụ điện thông thường có thể bị hỏng.

    Mạch giảm chấn IGBT

    Trong Transistor lưỡng cực cổng cách điện (IGBT), tụ điện của chúng tôi hoạt động như bộ giảm chấn để bảo vệ chống lại các xung điện áp và xung đột điện áp. Chúng hấp thụ năng lượng dư thừa và ngăn ngừa hư hỏng cho IGBT, đảm bảo hoạt động trơn tru và đáng tin cậy.

    Bảo vệ chống sét lan truyền

    Các tụ điện này lý tưởng để hấp thụ điện áp và dòng điện cực đại trong thiết bị điện tử công suất. Chúng bảo vệ chống lại các xung điện và đột biến, bảo vệ các thành phần nhạy cảm và tăng độ bền của toàn bộ hệ thống.

    Đặc tính điện của tụ điện màng

    bảng (8)78f

    Tuổi thọ so với nhiệt độ sạc

    bảng (9)xdy

    Tuổi thọ so với

    bảng (10)2tc

    Tỷ lệ thay đổi điện dung so với nhiệt độ

    tấm (11) nước mắt

    Dòng điện hoạt động so với Nhiệt độ

    bảng (12)p9r

    Điện áp hoạt động so với Nhiệt độ

    bảng (13)0y9

    (giá trị CR) IR so với Nhiệt độ

    bảng (14)iib

    Tỷ lệ thay đổi điện dung so với Tần số

    bảng (15)rgw

    Tỷ lệ thay đổi điện dung so với Tần số