Leave Your Message

উচ্চ-পারফরম্যান্স IGBT ক্যাপাসিটর পাওয়ার ইলেকট্রনিক্স স্নাবার ক্যাপাসিটার

0.1-5uF ক্যাপাসিট্যান্স পরিসীমা এবং 630V থেকে 3000V DC রেটযুক্ত ভোল্টেজ সহ, স্নাবার ক্যাপাসিটারগুলি আধুনিক পাওয়ার ইলেকট্রনিক্স অ্যাপ্লিকেশনগুলির চাহিদা মেটাতে ডিজাইন করা হয়েছে। -40°C থেকে 105°C এর উপরের এবং নিম্ন তাপমাত্রার পরিসরের সাথে, এই ক্যাপাসিটারগুলি IEC 61071-2017 এবং GB/T 17702-2013 মান মেনে চলে এবং অসামান্য কর্মক্ষমতা, নির্ভরযোগ্যতা এবং বহুমুখিতা প্রদান করে৷

    এমকেপি-এইচএস ক্যাপাসিটার

      

     

    মডেল

    জিবি/টি 17702-2013

    IEC61071-2017

    630~3000V.DC

    -40~105℃

    0.1~5uF

     

     

     

     

     

    বৈশিষ্ট্য

     

    সহজ মাউন্ট.

     

    উচ্চ ডিভি/ডিটি শক্তি..

     

      

    উচ্চ সহ্য ভোল্টেজ ক্ষমতা, কম অপচয়, নিম্ন তাপমাত্রা বৃদ্ধি।

      

     

    অ্যাপ্লিকেশন

     

    IGBT সানবারিং।

    শোষণ এবং থেকে রক্ষা পাওয়ার ইলেকট্রনিক্স সরঞ্জাম ব্যবহৃত

    পিক ভোল্টেজ এবং পিক কারেন্ট যখন সুইচিং ডিভাইস বন্ধ থাকে।

    সহজ ইনস্টলেশন

    আমাদের ক্যাপাসিটারগুলির নকশা নিশ্চিত করে যে তারা দ্রুত এবং সহজে ইনস্টল করা যেতে পারে। এটি সেটআপের জন্য প্রয়োজনীয় সময় এবং প্রচেষ্টাকে হ্রাস করে, এগুলিকে অ্যাপ্লিকেশনের জন্য আদর্শ করে তোলে যেখানে দক্ষতা এবং সরলতা গুরুত্বপূর্ণ।

    উচ্চ ভোল্টেজ প্রতিরোধের

    এই ক্যাপাসিটারগুলি সর্বনিম্ন ক্ষতি সহ উচ্চ ভোল্টেজ সহ্য করতে সক্ষম। এই বৈশিষ্ট্যটি নিশ্চিত করে যে তারা দীর্ঘস্থায়ী, সামঞ্জস্যপূর্ণ কর্মক্ষমতা প্রদান করে, এমনকি সবচেয়ে চাহিদাযুক্ত অ্যাপ্লিকেশনগুলিতেও তারা নির্ভরযোগ্যভাবে কাজ করে।

    কম শক্তি খরচ

    আমাদের ক্যাপাসিটর ডিজাইন বিদ্যুৎ খরচ কমিয়ে দেয়, যার ফলে সামগ্রিক দক্ষতা উন্নত হয়। কম বিদ্যুত খরচ উচ্চ-পারফরম্যান্স অ্যাপ্লিকেশনের জন্য গুরুত্বপূর্ণ যেখানে প্রতিটি ওয়াট গণনা করা হয়, সিস্টেমটি শক্তি-দক্ষ এবং ব্যয়-কার্যকর থাকে তা নিশ্চিত করে।

    নিম্ন তাপমাত্রা বৃদ্ধি

    আমাদের ক্যাপাসিটারগুলি উচ্চ চাপের অবস্থার মধ্যেও নিম্ন তাপমাত্রা বৃদ্ধি প্রদর্শন করে। এই বৈশিষ্ট্যটি কেবল তাদের পরিষেবার জীবনকে প্রসারিত করে না বরং এটি নিশ্চিত করে যে তারা সময়ের সাথে সাথে তাদের কর্মক্ষমতা বজায় রাখে, ঘন ঘন প্রতিস্থাপনের প্রয়োজনীয়তা হ্রাস করে।

    উচ্চ ডিভি/ডিটি ক্ষমতা

    আমাদের ক্যাপাসিটারগুলি ভোল্টেজ পরিবর্তনের উচ্চ হার (dv/dt) পরিচালনা করার জন্য ডিজাইন করা হয়েছে। এই বৈশিষ্ট্যটি দ্রুত স্যুইচিং এবং গতিশীল সার্কিট জড়িত অ্যাপ্লিকেশনগুলির জন্য গুরুত্বপূর্ণ যেখানে প্রচলিত ক্যাপাসিটারগুলি ব্যর্থ হতে পারে।

    আইজিবিটি স্নাবার সার্কিট

    ইনসুলেটেড গেট বাইপোলার ট্রানজিস্টর (IGBT) এ, আমাদের ক্যাপাসিটরগুলি ভোল্টেজ স্পাইক এবং ট্রানজিয়েন্ট থেকে রক্ষা করার জন্য স্নুবার হিসাবে কাজ করে। তারা অতিরিক্ত শক্তি শোষণ করে এবং IGBT এর ক্ষতি প্রতিরোধ করে, মসৃণ এবং নির্ভরযোগ্য অপারেশন নিশ্চিত করে।

    স্পাইক এবং সার্জ সুরক্ষা

    এই ক্যাপাসিটারগুলি পাওয়ার ইলেকট্রনিক্সে পিক ভোল্টেজ এবং স্রোত শোষণের জন্য আদর্শ। তারা স্পাইক এবং সার্জেসের বিরুদ্ধে সুরক্ষা প্রদান করে, সংবেদনশীল উপাদানগুলিকে সুরক্ষিত করে এবং পুরো সিস্টেমের স্থায়িত্ব বাড়ায়।

    ফিল্ম ক্যাপাসিটরের বৈদ্যুতিক বৈশিষ্ট্য

    টেবিল (8)78f

    জীবনকালের প্রত্যাশা বনাম চার্জিং তাপমাত্রা

    টেবিল (9)xdy

    জীবনকালের প্রত্যাশা বনাম

    টেবিল (10) 2tc

    ক্যাপাসিট্যান্স পরিবর্তনের হার বনাম তাপমাত্রা

    প্লেট (11) অশ্রু

    অপারেটিং বর্তমান বনাম তাপমাত্রা

    টেবিল (12) p9r

    অপারেটিং ভোল্টেজ বনাম তাপমাত্রা

    টেবিল (13)0y9

    (CR মান) IR বনাম তাপমাত্রা

    টেবিল (14) iib

    ক্যাপাসিট্যান্স পরিবর্তনের হার বনাম ফ্রিকোয়েন্সি

    টেবিল (15)rgw

    ক্যাপাসিট্যান্স পরিবর্তনের হার বনাম ফ্রিকোয়েন্সি