ഉയർന്ന പ്രകടനമുള്ള IGBT കപ്പാസിറ്ററുകൾ പവർ ഇലക്ട്രോണിക്സ് സ്നബ്ബർ കപ്പാസിറ്ററുകൾ

0.1-5uF കപ്പാസിറ്റൻസ് ശ്രേണിയും 630V മുതൽ 3000V DC വരെ റേറ്റുചെയ്ത വോൾട്ടേജുമുള്ള സ്നബ്ബർ കപ്പാസിറ്ററുകൾ ആധുനിക പവർ ഇലക്ട്രോണിക്സ് ആപ്ലിക്കേഷനുകളുടെ ആവശ്യങ്ങൾ നിറവേറ്റുന്നതിനായി രൂപകൽപ്പന ചെയ്തിട്ടുള്ളതാണ്. -40°C മുതൽ 105°C വരെയുള്ള ഉയർന്നതും താഴ്ന്നതുമായ താപനില പരിധിയുള്ള ഈ കപ്പാസിറ്ററുകൾ IEC 61071-2017, GB/T 17702-2013 മാനദണ്ഡങ്ങൾ പാലിക്കുന്നു, കൂടാതെ മികച്ച പ്രകടനം, വിശ്വാസ്യത, വൈവിധ്യം എന്നിവ വാഗ്ദാനം ചെയ്യുന്നു.

ഉൽപ്പന്ന പാരാമീറ്റർ ഞങ്ങളെ സമീപിക്കുക

ഉൽപ്പന്ന വിശദാംശങ്ങൾ

എംകെപി-എച്ച്എസ് കപ്പാസിറ്ററുകൾ

മോഡൽ

ജിബി/ടി 17702-2013

ഐ.ഇ.സി.61071-2017

630~3000V.DC.ഇൻസ്റ്റാൾ ചെയ്തിരിക്കുന്ന വോൾട്ടേജ്

-40~105℃

0.1~5uF

ഫീച്ചറുകൾ

എളുപ്പത്തിലുള്ള ഇൻസ്റ്റാളേഷൻ.

ഉയർന്ന ഡിവി/ഡിടി ശക്തി..

ഉയർന്ന വോൾട്ടേജ് താങ്ങാനുള്ള ശേഷി, കുറഞ്ഞ വിസർജ്ജനം, കുറഞ്ഞ താപനില വർദ്ധനവ്.

അപേക്ഷകൾ

ഐജിബിടി സൺബറിംഗ്.

പവർ ഇലക്ട്രോണിക്സ് ഉപകരണങ്ങളിൽ ആഗിരണം ചെയ്യാനും സംരക്ഷിക്കാനും ഉപയോഗിക്കുന്നു

സ്വിച്ചിംഗ് ഉപകരണം ഓഫാക്കുമ്പോഴുള്ള പീക്ക് വോൾട്ടേജും പീക്ക് കറന്റും.

എളുപ്പത്തിലുള്ള ഇൻസ്റ്റാളേഷൻ

ഞങ്ങളുടെ കപ്പാസിറ്ററുകളുടെ രൂപകൽപ്പന അവ വേഗത്തിലും എളുപ്പത്തിലും ഇൻസ്റ്റാൾ ചെയ്യാൻ കഴിയുമെന്ന് ഉറപ്പാക്കുന്നു. ഇത് സജ്ജീകരണത്തിന് ആവശ്യമായ സമയവും പരിശ്രമവും കുറയ്ക്കുന്നു, കാര്യക്ഷമതയും ലാളിത്യവും നിർണായകമായ ആപ്ലിക്കേഷനുകൾക്ക് അവയെ അനുയോജ്യമാക്കുന്നു.

ഉയർന്ന വോൾട്ടേജ് പ്രതിരോധം

ഈ കപ്പാസിറ്ററുകൾക്ക് ഉയർന്ന വോൾട്ടേജുകളെ കുറഞ്ഞ നഷ്ടങ്ങളോടെ നേരിടാൻ കഴിയും. ഏറ്റവും ആവശ്യപ്പെടുന്ന ആപ്ലിക്കേഷനുകളിൽ പോലും അവ വിശ്വസനീയമായി പ്രവർത്തിക്കുന്നുവെന്ന് ഈ സവിശേഷത ഉറപ്പാക്കുന്നു, ഇത് ദീർഘകാലം നിലനിൽക്കുന്നതും സ്ഥിരതയുള്ളതുമായ പ്രകടനം നൽകുന്നു.

കുറഞ്ഞ വൈദ്യുതി ഉപഭോഗം

ഞങ്ങളുടെ കപ്പാസിറ്റർ ഡിസൈൻ വൈദ്യുതി ഉപഭോഗം കുറയ്ക്കുകയും അതുവഴി മൊത്തത്തിലുള്ള കാര്യക്ഷമത മെച്ചപ്പെടുത്തുകയും ചെയ്യുന്നു. ഉയർന്ന പ്രകടനമുള്ള ആപ്ലിക്കേഷനുകൾക്ക് കുറഞ്ഞ വൈദ്യുതി ഉപഭോഗം നിർണായകമാണ്, അവിടെ ഓരോ വാട്ടും പ്രധാനമാണ്, ഇത് സിസ്റ്റം ഊർജ്ജക്ഷമതയുള്ളതും ചെലവ് കുറഞ്ഞതുമായി തുടരുന്നുവെന്ന് ഉറപ്പാക്കുന്നു.

കുറഞ്ഞ താപനില വർദ്ധനവ്

ഉയർന്ന സമ്മർദ്ദ സാഹചര്യങ്ങളിലും ഞങ്ങളുടെ കപ്പാസിറ്ററുകൾ കുറഞ്ഞ താപനില വർദ്ധനവ് കാണിക്കുന്നു. ഈ സവിശേഷത അവയുടെ സേവന ആയുസ്സ് വർദ്ധിപ്പിക്കുക മാത്രമല്ല, കാലക്രമേണ അവയുടെ പ്രകടനം നിലനിർത്തുന്നുവെന്ന് ഉറപ്പാക്കുകയും ചെയ്യുന്നു, ഇത് പതിവായി മാറ്റിസ്ഥാപിക്കേണ്ടതിന്റെ ആവശ്യകത കുറയ്ക്കുന്നു.

ഉയർന്ന ഡിവി/ഡിടി ശേഷി

ഉയർന്ന വോൾട്ടേജ് മാറ്റ നിരക്ക് (dv/dt) കൈകാര്യം ചെയ്യുന്നതിനാണ് ഞങ്ങളുടെ കപ്പാസിറ്ററുകൾ രൂപകൽപ്പന ചെയ്തിരിക്കുന്നത്. പരമ്പരാഗത കപ്പാസിറ്ററുകൾ പരാജയപ്പെടാൻ സാധ്യതയുള്ള ഫാസ്റ്റ് സ്വിച്ചിംഗ്, ഡൈനാമിക് സർക്യൂട്ടുകൾ എന്നിവ ഉൾപ്പെടുന്ന ആപ്ലിക്കേഷനുകൾക്ക് ഈ സവിശേഷത നിർണായകമാണ്.

IGBT സ്‌നബ്ബർ സർക്യൂട്ടുകൾ

ഇൻസുലേറ്റഡ് ഗേറ്റ് ബൈപോളാർ ട്രാൻസിസ്റ്ററുകളിൽ (IGBT), വോൾട്ടേജ് സ്പൈക്കുകളിൽ നിന്നും ട്രാൻസിയന്റുകളിൽ നിന്നും സംരക്ഷിക്കുന്നതിന് നമ്മുടെ കപ്പാസിറ്ററുകൾ സ്‌നബ്ബറുകളായി പ്രവർത്തിക്കുന്നു. അവ അധിക ഊർജ്ജം ആഗിരണം ചെയ്യുകയും IGBT-ക്ക് കേടുപാടുകൾ സംഭവിക്കുന്നത് തടയുകയും ചെയ്യുന്നു, ഇത് സുഗമവും വിശ്വസനീയവുമായ പ്രവർത്തനം ഉറപ്പാക്കുന്നു.

സ്പൈക്ക്, സർജ് സംരക്ഷണം

പവർ ഇലക്ട്രോണിക്സിലെ പീക്ക് വോൾട്ടേജുകളും കറന്റുകളും ആഗിരണം ചെയ്യുന്നതിന് ഈ കപ്പാസിറ്ററുകൾ അനുയോജ്യമാണ്. അവ സ്പൈക്കുകളിൽ നിന്നും സർജുകളിൽ നിന്നും സംരക്ഷണം നൽകുന്നു, സെൻസിറ്റീവ് ഘടകങ്ങളെ സംരക്ഷിക്കുന്നു, മുഴുവൻ സിസ്റ്റത്തിന്റെയും ഈട് വർദ്ധിപ്പിക്കുന്നു.